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近一個月翻倍!“電子茅臺”價格暴漲快過黃金,行業(yè)大佬:全面缺貨漲價,是30多年來第一次
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簡介消息面上,存儲產(chǎn)品價格近期呈現(xiàn)出驚人的上漲態(tài)勢。據(jù)中國藍新聞,在浙江杭州,內(nèi)存條近一個月價格翻了一番。有商戶表示,原來200多元的內(nèi)存條現(xiàn)在漲到400多元,原來1000多元的則漲到近2000元。社交媒 ...

消息面上,電子茅臺存儲產(chǎn)品價格近期呈現(xiàn)出驚人的近個金行價多上漲態(tài)勢。據(jù)中國藍新聞,月翻業(yè)在浙江杭州,格暴過黃內(nèi)存條近一個月價格翻了一番。漲快有商戶表示,佬全原來200多元的面缺內(nèi)存條現(xiàn)在漲到400多元,原來1000多元的貨漲則漲到近2000元。
社交媒體上不少網(wǎng)友紛紛曬出自己所囤的年第內(nèi)存條,慶幸提前組裝了電腦,電子茅臺“真沒想到內(nèi)存條如今成了‘電子茅臺’,近個金行價多漲得比黃金還快。月翻業(yè)”

內(nèi)存價格暴漲
據(jù)界面新聞,格暴過黃TrendForce集邦咨詢數(shù)據(jù)顯示,漲快2025年第三季度,佬全DRAM價格較去年同期大幅上漲171.8%。若以今日國際現(xiàn)貨黃金每盎司價格3998美元計算,較去年低位時的1890美元也只漲了115%。
從現(xiàn)貨市場數(shù)據(jù)來看,在10月13日至18日期間,DRAM方面,DDR5 16G、DDR4 16G均價相較上周分別上漲20.59%、11.11%,相較上月漲幅更是高達58.73%、43%。
DDR全稱為Double Data Rate(雙倍數(shù)據(jù)速率),是內(nèi)存條(即動態(tài)隨機存取存儲器,DRAM)的核心技術(shù)標準,也是衡量內(nèi)存性能的關(guān)鍵指標之一。
存儲芯片具體可分為兩類:一是數(shù)據(jù)持久化存儲(如NAND閃存,斷電后數(shù)據(jù)不丟失),二是實時數(shù)據(jù)暫存(如DRAM,需持續(xù)供電,讀寫速度快);其中,基于DRAM技術(shù)的高端品類HBM(高帶寬內(nèi)存),可滿足AI計算、服務(wù)器等場景中“海量數(shù)據(jù)實時流轉(zhuǎn)”的需求。
AI驅(qū)動的產(chǎn)能轉(zhuǎn)移引發(fā)產(chǎn)品供應(yīng)結(jié)構(gòu)性失衡,是此輪漲價的核心邏輯。
自2022年11月ChatGPT誕生引發(fā)生成式人工智能熱潮并推動全球競相建設(shè)人工智能數(shù)據(jù)中心以來,存儲芯片制造商就一直在將更多產(chǎn)能轉(zhuǎn)向HBM芯片的生產(chǎn)。
Yole Group預(yù)計,2025年,主要用于GPU生產(chǎn)的HBM產(chǎn)品的營收預(yù)計將接近翻倍,達到約340億美元;HBM市場將在2030年前保持33%的年復(fù)合增長率,屆時其營收將超過DRAM市場總營收的50%。
值得一提的是,HBM所消耗的晶圓容量是標準DRAM的三倍多,像OpenAI等企業(yè)提出的每月90萬片晶圓訂單,相當于消耗了當前全球DRAM月產(chǎn)能的53%。
此外,長鑫存儲等中國公司在低端DRAM芯片上日益激烈的競爭,也促使控制全球DRAM芯片市場約70%份額的韓國三星和SK海力士加速向高端芯片轉(zhuǎn)型。這些廠商自2025年初起便陸續(xù)調(diào)整戰(zhàn)略,逐步減少乃至計劃在2025年底至2026年初完全停止DDR4內(nèi)存顆粒的生產(chǎn),將產(chǎn)能全面轉(zhuǎn)向利潤更高、技術(shù)更先進的DDR5、HBM等產(chǎn)品。這直接擠壓了DDR4的產(chǎn)能空間,使得DDR4產(chǎn)量減少,市場上供不應(yīng)求。
為應(yīng)對漲價,早在年初就有不少經(jīng)銷商開始大量囤貨鎖價。在華強北等電子集散地,自二季度開始出現(xiàn)經(jīng)銷商大規(guī)模掃貨現(xiàn)象,導(dǎo)致民用市場的現(xiàn)貨流通量減少,進一步加劇了價格上漲。
TrendForce集邦咨詢7月發(fā)布的報告顯示,由于三大廠轉(zhuǎn)移產(chǎn)能,并宣布個人電腦、服務(wù)器用DDR4及手機用LPDDR4X進入產(chǎn)品生命周期末期,引發(fā)了市場對上一代產(chǎn)品積極備貨,再加上正值存儲行業(yè)旺季,現(xiàn)貨市場供不應(yīng)求。2025年第三季度DRAM合約價上漲10%至15%,第三季漲價幅度達到40%至45%。

存儲芯片廠商賺翻了
據(jù)財聯(lián)社,根據(jù)韓國KB證券研究主管Jeff Kim預(yù)計,若當前漲勢持續(xù),明年非HBM內(nèi)存芯片的盈利能力甚至可能將超越HBM。
據(jù)其估算,三星7—9月期間標準DRAM業(yè)務(wù)運營利潤率約為40%,HBM業(yè)務(wù)則達60%。美光科技上月預(yù)測,2026年HBM與非HBM業(yè)務(wù)均將保持健康的利潤率。
另一方面,存儲芯片價格飆升可能給消費電子和服務(wù)器制造商帶來額外成本壓力。這些企業(yè)本就因美國提高關(guān)稅和稀土短缺引發(fā)的潛在供應(yīng)鏈中斷而成本攀升。
部分企業(yè)正將成本壓力轉(zhuǎn)嫁給消費者。例如英國個人電腦制造商Raspberry Pi本月早些時候就宣布漲價,稱內(nèi)存成本較一年前上漲約120%。其首席執(zhí)行官埃Eben Upton表示:“我們已到了必須分攤部分成本的階段?!?/p>
此前小米發(fā)布紅米K90手機時,創(chuàng)始人雷軍便將不同版本間價差過大歸因于存儲成本上漲。而小米集團合伙人、總裁盧偉冰則稱,“我們無法改變?nèi)蚬?yīng)鏈的走勢,存儲成本上漲也遠高于預(yù)期,且會持續(xù)加劇。”

全球第二大存儲模組廠威剛董事長陳立白稍早表示,當前DRAM、NAND閃存、SSD和機械硬盤四大存儲類別全面缺貨漲價的局面,在其三十余年的行業(yè)生涯中前所未見。
他認為第四季度才是存儲大多頭的真正起點和嚴重缺貨的開始,也是存儲嚴重缺貨的開始,并預(yù)言明年產(chǎn)業(yè)榮景可期。
(免責聲明:本文內(nèi)容與數(shù)據(jù)僅供參考,不構(gòu)成投資建議,使用前核實。據(jù)此操作,風險自擔。)
編輯|||金冥羽 杜恒峰
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