炒股就看金麒麟分析師研報(bào)，光刻權(quán)威，膠領(lǐng)專業(yè)，域國(guó)及時(shí)，新突全面，光刻助您挖掘潛力主題機(jī)會(huì)！膠領(lǐng)

　　來(lái)源：科技日?qǐng)?bào)

　　據(jù)科技日?qǐng)?bào)，域國(guó)光刻技術(shù)是新突推動(dòng)集成電路芯片制程工藝持續(xù)微縮的核心驅(qū)動(dòng)力之一。近日，光刻北京大學(xué)化學(xué)與分子工程學(xué)院彭海琳教授團(tuán)隊(duì)及合作者通過(guò)冷凍電子斷層掃描技術(shù)，膠領(lǐng)首次在原位狀態(tài)下解析了光刻膠分子在液相環(huán)境中的域國(guó)微觀三維結(jié)構(gòu)、界面分布與纏結(jié)行為，新突指導(dǎo)開(kāi)發(fā)出可顯著減少光刻缺陷的光刻產(chǎn)業(yè)化方案。相關(guān)論文近日刊發(fā)于《自然·通訊》。膠領(lǐng)

　　“顯影”是域國(guó)光刻的核心步驟之一，通過(guò)顯影液溶解光刻膠的曝光區(qū)域，將電路圖案精確轉(zhuǎn)移到硅片上。光刻膠如同刻畫電路的顏料，它在顯影液中的運(yùn)動(dòng)，直接決定電路畫得準(zhǔn)不準(zhǔn)、好不好，進(jìn)而影響芯片良率。長(zhǎng)期以來(lái)，光刻膠在顯影液中的微觀行為是“黑匣子”，工業(yè)界的工藝優(yōu)化只能靠反復(fù)試錯(cuò)，這成為制約7納米及以下先進(jìn)制程良率提升的關(guān)鍵瓶頸之一。

　　為破解難題，研究團(tuán)隊(duì)首次將冷凍電子斷層掃描技術(shù)引入半導(dǎo)體領(lǐng)域。研究人員最終合成出一張分辨率優(yōu)于5納米的微觀三維“全景照片”，一舉克服了傳統(tǒng)技術(shù)無(wú)法原位、三維、高分辨率觀測(cè)的三大痛點(diǎn)。

　　彭海琳表示，冷凍電子斷層掃描技術(shù)為在原子/分子尺度上解析各類液相界面反應(yīng)提供了強(qiáng)大工具。深入掌握液體中聚合物的結(jié)構(gòu)與微觀行為，可推動(dòng)先進(jìn)制程中光刻、蝕刻和濕法清洗等關(guān)鍵工藝的缺陷控制與良率提升。

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