Part 1
美國(guó)政府
為什么要考慮入股英特爾？美國(guó)
在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)版圖中，制造能力正日益集中于少數(shù)幾家企業(yè)和地區(qū)。政府主進(jìn)
◎臺(tái)積電在臺(tái)灣、考慮中國(guó)大陸的入股日霸入生晶圓廠產(chǎn)能占據(jù)全球 60% 以上的代工市場(chǎng)份額，并在 3nm 工藝上實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)領(lǐng)先；
◎三星則依托韓國(guó)和美國(guó)德州工廠，英特保持在 GAA（Gate-All-Around，爾昔全環(huán)繞柵極）結(jié)構(gòu)上的死戰(zhàn)技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)力。
◎相比之下，美國(guó)美國(guó)本土的政府主進(jìn)先進(jìn)制程產(chǎn)能占比不足 10%，且大部分仍處于 10nm 以上節(jié)點(diǎn)?？紤]
美國(guó)政府自 2020 年以來(lái)便不斷加大對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的入股日霸入生干預(yù)。
拜登政府在 2022 年簽署的英特《芯片與科學(xué)法案》為國(guó)內(nèi)芯片制造企業(yè)提供高達(dá) 527 億美元的補(bǔ)貼與稅收優(yōu)惠，其中 390 億美元直接用于生產(chǎn)制造補(bǔ)貼。爾昔
英特爾是死戰(zhàn)法案的主要受益者之一，但在實(shí)際推進(jìn)過(guò)程中，美國(guó)其俄亥俄州“Mega Fab”項(xiàng)目因資本開(kāi)支壓力、設(shè)備交付周期和建設(shè)節(jié)奏協(xié)調(diào)等問(wèn)題多次延遲。
英特爾目前面臨的現(xiàn)實(shí)困境：
◎先進(jìn)制程延誤：從 10nm 延遲到 7nm，再到推遲 20A（相當(dāng)于 2nm）節(jié)點(diǎn)的量產(chǎn)，工藝落后導(dǎo)致高性能 CPU 與 GPU 市場(chǎng)份額持續(xù)下滑。
◎代工業(yè)務(wù)起步緩慢：雖然成立了 Intel Foundry Services（IFS）部門，但在吸引大型外部客戶方面進(jìn)展有限，且先進(jìn)制程良率尚未穩(wěn)定。
◎資本與技術(shù)雙重壓力：2nm GAA 工藝引入、EUV 光刻機(jī)采購(gòu)、先進(jìn)封裝產(chǎn)線建設(shè)都需要持續(xù)且巨額的投資。
在此背景下，美國(guó)政府直接入股英特爾，一方面是為了加速本土先進(jìn)制程產(chǎn)能落地，另一方面是確保在地緣政治緊張時(shí)，美國(guó)擁有獨(dú)立可控的尖端芯片生產(chǎn)能力。
2nm / 3nm 工藝的技術(shù)門檻
當(dāng)前先進(jìn)制程主要采用 FinFET 與 GAA 兩種晶體管結(jié)構(gòu)：
◎3nm FinFET：臺(tái)積電的 N3 系列已在 2022 年底量產(chǎn)，采用優(yōu)化的 FinFET 晶體管設(shè)計(jì)，兼顧性能與良率。
◎2nm GAA：三星已在 2022 年推出首代 GAA 工藝（SF3E），英特爾計(jì)劃在 20A 節(jié)點(diǎn)引入 RibbonFET（其自有 GAA 技術(shù)）。
GAA 相較于 FinFET，可提供更好的柵極控制能力，從而在相同功耗下降低漏電流、提高晶體管密度。但其制造復(fù)雜度顯著提高，需要更多的 EUV 曝光步驟與高精度圖形對(duì)準(zhǔn)能力，這直接增加了設(shè)備需求和生產(chǎn)成本。
2nm 節(jié)點(diǎn)的關(guān)鍵在于?高數(shù)值孔徑（High-NA）EUV 光刻機(jī)?的應(yīng)用，這類設(shè)備由荷蘭 ASML 獨(dú)家生產(chǎn)，全球每年的產(chǎn)能僅 5–6 臺(tái)，且價(jià)格高達(dá) 3.5 億美元以上。
英特爾是全球第一批下單 High-NA EUV 的廠商，但設(shè)備交付和產(chǎn)線調(diào)試需要 18–24 個(gè)月的周期，這也是其 20A/18A 工藝延遲的重要原因之一。
美國(guó)若想實(shí)現(xiàn)本土供應(yīng)鏈閉環(huán)，必須在光刻、刻蝕、沉積、檢測(cè)等環(huán)節(jié)建立自主能力。然而，在光刻機(jī)領(lǐng)域，美國(guó)本土缺乏整機(jī)生產(chǎn)能力，只能依賴 ASML，并通過(guò)對(duì)日本與德國(guó)關(guān)鍵零部件供應(yīng)商的產(chǎn)業(yè)政策協(xié)作來(lái)保障交付。
隨著摩爾定律趨緩，先進(jìn)封裝（Advanced Packaging）?已成為提升芯片性能的另一核心路徑。
英特爾的 Foveros 3D 堆疊技術(shù)和 EMIB 嵌入式橋接互連，在高帶寬 GPU 與 AI 加速芯片中有顯著優(yōu)勢(shì)。但先進(jìn)封裝產(chǎn)線同樣面臨設(shè)備采購(gòu)周期長(zhǎng)、工藝良率爬升慢等問(wèn)題，這限制了其對(duì)外部客戶的代工吸引力。
拆分英特爾的利與弊
部分前董事會(huì)成員建議將英特爾拆分為設(shè)計(jì)公司與代工廠兩部分，以吸引更多外部客戶并減少內(nèi)部資源爭(zhēng)奪。
但從技術(shù)、產(chǎn)業(yè)鏈和國(guó)家安全三個(gè)維度看，拆分的風(fēng)險(xiǎn)大于收益：
◎技術(shù)協(xié)同削弱：先進(jìn)制程的設(shè)計(jì)-制造一體化優(yōu)化能力將喪失，導(dǎo)致高性能 CPU 與 AI 芯片的架構(gòu)無(wú)法在早期就針對(duì)特定工藝進(jìn)行調(diào)優(yōu)。
◎客戶基礎(chǔ)不足：即便拆分，IFS 在短期內(nèi)也無(wú)法獲得如臺(tái)積電那樣的穩(wěn)定大客戶訂單，產(chǎn)能利用率和現(xiàn)金流都將承壓。
◎供應(yīng)鏈安全受損：一旦設(shè)計(jì)與制造分離，危機(jī)時(shí)刻的快速響應(yīng)能力將下降，美國(guó)政府希望掌控的“從設(shè)計(jì)到生產(chǎn)”的全鏈條自主性會(huì)被削弱。
臺(tái)積電模式的成功依賴于 30 年持續(xù)積累、無(wú)與倫比的客戶綁定與良率提升機(jī)制，短期復(fù)制幾乎不可能。
全球先進(jìn)制程競(jìng)爭(zhēng)的格局已經(jīng)趨于穩(wěn)定：
◎臺(tái)積電：3nm 大規(guī)模量產(chǎn)，2nm 定于 2025 年量產(chǎn)，客戶涵蓋蘋果、AMD、英偉達(dá)、聯(lián)發(fā)科等核心科技企業(yè)。
◎三星：在 GAA 技術(shù)上積極搶跑，已為部分客戶生產(chǎn) 3nm GAA 芯片，并計(jì)劃 2025 年進(jìn)入 2nm 量產(chǎn)。
◎英特爾：若 20A 節(jié)點(diǎn)在 2024–2025 年如期量產(chǎn)，并在 18A 節(jié)點(diǎn)（1.8nm）實(shí)現(xiàn)與臺(tái)積電競(jìng)爭(zhēng)，才能重新進(jìn)入先進(jìn)工藝第一梯隊(duì)。
美國(guó)政府的直接入股，可以嘗試解決英特爾在設(shè)備采購(gòu)、資本支出和產(chǎn)能爬坡上的短期瓶頸，還能在戰(zhàn)略上綁定英特爾的制造能力，為美國(guó)本土 AI 芯片、軍用芯片、航天計(jì)算芯片提供穩(wěn)定的制造后盾。
英特爾面前的岔路口清晰可見(jiàn)：要么在政府資本和政策支持下保持一體化模式，依靠架構(gòu)與工藝的同步優(yōu)化重新追上臺(tái)積電；要么接受拆分，賭一個(gè)開(kāi)放代工市場(chǎng)的快速滲透。
擺在英特爾面前的現(xiàn)實(shí)是，先進(jìn)節(jié)點(diǎn)的協(xié)同成本極高，拆分不僅可能削弱內(nèi)部?jī)?yōu)先流片的優(yōu)勢(shì)，還會(huì)讓代工業(yè)務(wù)在缺乏早期大客戶綁定的情況下陷入低利用率困境。
美國(guó)政府的入股，更像是一份“產(chǎn)業(yè)主權(quán)保險(xiǎn)單”——在供應(yīng)鏈不穩(wěn)定、國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)加劇的背景下，確保本土仍能掌握從設(shè)計(jì)到制造的全鏈條能力。
英特爾能否借此實(shí)現(xiàn)技術(shù)翻盤，取決于它能否在資本、研發(fā)、供應(yīng)鏈三條戰(zhàn)線上同步發(fā)力。否則，即便拿到了資金與政策背書，也可能只是延長(zhǎng)了衰退的時(shí)間表。
這場(chǎng)賭局，不只是英特爾的生死戰(zhàn)，也是未來(lái)十年全球半導(dǎo)體格局的一步棋。
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