存儲芯片迎來罕見“漲價(jià)潮”，上市公司業(yè)績?nèi)绾畏从常?/h1> 發(fā)布時(shí)間：2025-11-30 19:00:39 作者：玩站小弟 
我要評論存儲芯片市場正迎來一輪歷史罕見的“漲價(jià)潮”。行業(yè)數(shù)據(jù)顯示，主流DDR4 16G內(nèi)存條價(jià)格已從去年低點(diǎn)的200多元飆升至突破500元，漲幅超過100%。10月21日，A股存儲芯片板塊再度領(lǐng)漲半導(dǎo)體，太極
。存儲芯片市場正迎來一輪歷史罕見的漲價(jià)潮“漲價(jià)潮”。行業(yè)數(shù)據(jù)顯示，存儲主流DDR4 16G內(nèi)存條價(jià)格已從去年低點(diǎn)的芯片200多元飆升至突破500元，漲幅超過100%。迎罕
10月21日，見上績何A股存儲芯片板塊再度領(lǐng)漲半導(dǎo)體，市公司業(yè)太極實(shí)業(yè)（600667.SH）漲停，反映雅創(chuàng)電子（301099.SZ漲超14%，漲價(jià)潮香農(nóng)芯創(chuàng)（300475.SZ）跟漲逾8%。存儲
這輪漲價(jià)的芯片背后，是迎罕人工智能浪潮催生的高階存儲需求與海外巨頭戰(zhàn)略性產(chǎn)能轉(zhuǎn)移共同作用的結(jié)果，其核心是見上績何AI需求爆發(fā)對存儲行業(yè)自身供需的擾動(dòng)。
隨著三星、市公司業(yè)SK海力士、反映美光等原廠將產(chǎn)能加速轉(zhuǎn)向DDR5、漲價(jià)潮HBM等高利潤產(chǎn)品，傳統(tǒng)DDR4及更早期的利基型存儲產(chǎn)品出現(xiàn)階段性供給缺口。業(yè)內(nèi)預(yù)計(jì)，四季度DRAM與NAND Flash價(jià)格將繼續(xù)上漲，這一波存儲漲價(jià)行情或?qū)⒊掷m(xù)至年底。
伴隨著存儲漲價(jià)消息持續(xù)發(fā)酵，A股存儲器板塊的熱度不減，板塊個(gè)股9月以來平均漲幅達(dá)23%，大幅跑贏主要股指，個(gè)股估值拔升之際，市場及投資者更關(guān)注漲價(jià)對上市公司業(yè)績的影響。
產(chǎn)能轉(zhuǎn)移或令存儲四季度持續(xù)漲價(jià)
截至目前，傳統(tǒng)存儲產(chǎn)品報(bào)價(jià)仍在上漲?，F(xiàn)貨方面，NAND、DRAM資源全面供應(yīng)趨緊，上周存儲價(jià)格集體強(qiáng)勢上漲。根據(jù)CFM閃存市場報(bào)道，在原廠供應(yīng)干預(yù)下，現(xiàn)貨貿(mào)易端包括NAND和DRAM在內(nèi)的所有資源價(jià)格快速上漲。
與此同時(shí)，四季度存儲持續(xù)漲價(jià)的預(yù)期仍在。據(jù)TrendForce集邦咨詢，預(yù)估四季度整體一般型DRAM(Conventional DRAM)價(jià)格將單季度增漲8%-13%，若加上HBM，漲幅將擴(kuò)大至13%-18%；NAND Flash第四季各類產(chǎn)品合約價(jià)將全面上漲，平均漲幅達(dá)5%-10%。
此輪存儲漲價(jià)的驅(qū)動(dòng)因素復(fù)雜多元，其中最核心的是供需關(guān)系的根本性變化。本輪存儲產(chǎn)品漲價(jià)始于海外大廠聯(lián)合減產(chǎn)，削減供給所致，一方面，中國芯片公司的中低端存儲芯片業(yè)務(wù)日益成熟，促使三星、SK海力士向更高端產(chǎn)品轉(zhuǎn)型，以謀求更高毛利率。同時(shí)，人工智能高速發(fā)展，對新制程與高級別存儲產(chǎn)品需求更旺盛，從2024年三季度開始，以盈利為主基調(diào)的存儲原廠（美光、三星、SK海力士）就開始將部分利潤率偏低的傳統(tǒng)DRAM產(chǎn)能轉(zhuǎn)至DDR5、HBM（高帶寬存儲器）等更高利潤的產(chǎn)品，并逐步淘汰和減少DDR4及更老產(chǎn)品的生產(chǎn)。
海外巨頭戰(zhàn)略性放棄DDR3、DDR4、低容量NOR Flash等“老舊”產(chǎn)品的生產(chǎn)，在全球范圍內(nèi)造成了這些產(chǎn)品的供給不足，但需求并未因供給縮減而減少，階段性的供需不匹配導(dǎo)致了當(dāng)前存儲產(chǎn)品價(jià)格持續(xù)上漲。
“存儲缺貨和漲價(jià)的主要原因是AI發(fā)展太快了，單臺AI服務(wù)器對存儲器的需求是傳統(tǒng)服務(wù)器的數(shù)倍。從商業(yè)經(jīng)濟(jì)角度來說，存儲原廠肯定是按照市場需求調(diào)配產(chǎn)能，哪里需求旺盛，哪類產(chǎn)品毛利高，就往哪里分配產(chǎn)能。在AI浪潮來臨之前，存儲的景氣度其實(shí)比較低迷，各類下游對存儲產(chǎn)品的需求相對均衡，可以理解為AI階段性地打破了存儲內(nèi)部的供需格局?！蹦畴娦滦袠I(yè)分析師對第一財(cái)經(jīng)表示：“若未來資源端仍持續(xù)處于趨緊狀態(tài)，供需天平加速向賣方傾斜，存儲廠商控貨惜售的情緒將更加強(qiáng)烈，那么后續(xù)存儲成品端的價(jià)格也將延續(xù)上漲趨勢。”
上述分析師表示，在此輪存儲漲價(jià)潮中，區(qū)分真實(shí)需求增長與短期供給失衡至關(guān)重要?！澳壳按鎯r(jià)格主要取決于供應(yīng)端，原廠的態(tài)度仍然是影響整個(gè)存儲市場的主要因素。同時(shí)，AI高速發(fā)展勢頭沒有絲毫放緩的趨勢，意味著高階存儲產(chǎn)品需求旺盛的局面短期內(nèi)不會松動(dòng)，原廠或繼續(xù)增配AI相關(guān)存儲產(chǎn)品的產(chǎn)能，階段性產(chǎn)能轉(zhuǎn)移的背景下，預(yù)計(jì)DRAM和NANDFlash的漲價(jià)至少會持續(xù)到今年年底?！痹摲治鰩煂τ浾哒f。
漲價(jià)對上市公司影響不一
二級市場方面，全球存儲器板塊熱度不減，資金持續(xù)交易漲價(jià)邏輯。數(shù)據(jù)顯示，9月以來A股存儲器板塊29只股平均上漲23%，德明利（001309.SH）上漲100%，領(lǐng)漲板塊，江波龍、聚辰股份分別上漲90%、75.5%。韓國三星電子、SK海力士、美光3家原廠的股價(jià)年內(nèi)分別漲逾80%、175%、145%。
原廠股價(jià)上漲預(yù)期包含了產(chǎn)能轉(zhuǎn)移高附加值產(chǎn)品帶動(dòng)毛利率進(jìn)一步提升，那么A股存儲產(chǎn)業(yè)鏈上市公司的業(yè)績是否也將受益漲價(jià)？
10月21日第一財(cái)經(jīng)記者以投資者身份致電兆易創(chuàng)新（603986.SH）、瀾起科技（688008.SH）、香農(nóng)芯創(chuàng)等多家A股存儲芯片上市公司，就各公司相關(guān)負(fù)責(zé)人回復(fù)內(nèi)容來看，存儲漲價(jià)對公司業(yè)績影響各不相同。
瀾起科技（688008.SH）相關(guān)負(fù)責(zé)人告訴記者，公司的DDR5內(nèi)存接口及模組配套芯片（服務(wù)器內(nèi)存模組（又稱“內(nèi)存條”）的核心邏輯器件）的價(jià)格是跟隨技術(shù)與產(chǎn)品迭代漲價(jià)，對DDR5本身價(jià)格的波動(dòng)不敏感。
“瀾起目前主要以內(nèi)存接口芯片為主，因其產(chǎn)品屬性，價(jià)格上漲是來自產(chǎn)品迭代和技術(shù)升級，比如子代產(chǎn)品的迭代，而DDR5的供需格局和庫存水平波動(dòng)對公司產(chǎn)品的價(jià)格影響較小?！痹撊耸糠Q。
受AI需求增長影響，瀾起科技上半年的營業(yè)收入與歸母凈利潤分別同比增長58.17%、95.41%，公司的DDR5內(nèi)存接口及模組配套芯片出貨量顯著增長，且第二子代和第三子代RCD芯片出貨占比增加，推動(dòng)公司內(nèi)存接口及模組配套芯片銷售收入大幅增長。
兆易創(chuàng)新的相關(guān)負(fù)責(zé)人則表示，海外大廠普遍把產(chǎn)能投向HBM等高毛利產(chǎn)品，在現(xiàn)貨緊缺的情況下，高性能存儲產(chǎn)品毛利率可達(dá)到70%左右，傳統(tǒng)存儲產(chǎn)能相應(yīng)下滑，預(yù)計(jì)傳統(tǒng)存儲利基產(chǎn)品缺貨漲價(jià)情形將持續(xù)。
香農(nóng)芯創(chuàng)主營業(yè)務(wù)從事電子元器件產(chǎn)品分銷，公司是SK海力士的經(jīng)銷商，談及存儲漲價(jià)對四季度業(yè)績的影響，香農(nóng)芯創(chuàng)相關(guān)負(fù)責(zé)人說：“漲價(jià)是否提振業(yè)績?nèi)Q于公司是否具備低價(jià)庫存，通常公司只賺取經(jīng)銷業(yè)務(wù)相對應(yīng)的毛利。”
(本文來自第一財(cái)經(jīng))
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與此同時(shí)，四季度存儲持續(xù)漲價(jià)的預(yù)期仍在。據(jù)TrendForce集邦咨詢，預(yù)估四季度整體一般型DRAM(Conventional DRAM)價(jià)格將單季度增漲8%-13%，若加上HBM，漲幅將擴(kuò)大至13%-18%；NAND Flash第四季各類產(chǎn)品合約價(jià)將全面上漲，平均漲幅達(dá)5%-10%。
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“存儲缺貨和漲價(jià)的主要原因是AI發(fā)展太快了，單臺AI服務(wù)器對存儲器的需求是傳統(tǒng)服務(wù)器的數(shù)倍。從商業(yè)經(jīng)濟(jì)角度來說，存儲原廠肯定是按照市場需求調(diào)配產(chǎn)能，哪里需求旺盛，哪類產(chǎn)品毛利高，就往哪里分配產(chǎn)能。在AI浪潮來臨之前，存儲的景氣度其實(shí)比較低迷，各類下游對存儲產(chǎn)品的需求相對均衡，可以理解為AI階段性地打破了存儲內(nèi)部的供需格局?！蹦畴娦滦袠I(yè)分析師對第一財(cái)經(jīng)表示：“若未來資源端仍持續(xù)處于趨緊狀態(tài)，供需天平加速向賣方傾斜，存儲廠商控貨惜售的情緒將更加強(qiáng)烈，那么后續(xù)存儲成品端的價(jià)格也將延續(xù)上漲趨勢。”
上述分析師表示，在此輪存儲漲價(jià)潮中，區(qū)分真實(shí)需求增長與短期供給失衡至關(guān)重要?！澳壳按鎯r(jià)格主要取決于供應(yīng)端，原廠的態(tài)度仍然是影響整個(gè)存儲市場的主要因素。同時(shí)，AI高速發(fā)展勢頭沒有絲毫放緩的趨勢，意味著高階存儲產(chǎn)品需求旺盛的局面短期內(nèi)不會松動(dòng)，原廠或繼續(xù)增配AI相關(guān)存儲產(chǎn)品的產(chǎn)能，階段性產(chǎn)能轉(zhuǎn)移的背景下，預(yù)計(jì)DRAM和NANDFlash的漲價(jià)至少會持續(xù)到今年年底?！痹摲治鰩煂τ浾哒f。
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瀾起科技（688008.SH）相關(guān)負(fù)責(zé)人告訴記者，公司的DDR5內(nèi)存接口及模組配套芯片（服務(wù)器內(nèi)存模組（又稱“內(nèi)存條”）的核心邏輯器件）的價(jià)格是跟隨技術(shù)與產(chǎn)品迭代漲價(jià)，對DDR5本身價(jià)格的波動(dòng)不敏感。
“瀾起目前主要以內(nèi)存接口芯片為主，因其產(chǎn)品屬性，價(jià)格上漲是來自產(chǎn)品迭代和技術(shù)升級，比如子代產(chǎn)品的迭代，而DDR5的供需格局和庫存水平波動(dòng)對公司產(chǎn)品的價(jià)格影響較小?！痹撊耸糠Q。
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